Herbert Kroemer
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| Naissance | Weimar |
|---|---|
| Décès |
(à 95 ans) |
| Nom dans la langue maternelle |
Herbert Krömer |
| Nationalités |
allemande américaine |
| Formation |
Université de Göttingen Université Friedrich-Schiller d'Iéna |
| Activités |
Physicien, professeur d'université |
| A travaillé pour |
Université de Californie à Santa Barbara Université du Colorado à Boulder |
|---|---|
| Membre de |
Société américaine de physique () Académie nationale d'ingénierie des États-Unis () Académie américaine des sciences () Académie européenne des sciences () Académie des sciences d'utilité publique |
| Directeurs de thèse | |
| Influencé par | |
| Distinctions |
Prix Nobel de physique () Liste détaillée J J Ebers Award () IEEE Jack A. Morton Award () Prix Nobel de physique () Grand commandeur de l'ordre du Mérite de la République fédérale d'Allemagne () IEEE Medal of Honor () Membre de l'IEEE Prix de recherche Humboldt Membre de la Société américaine de physique Humboldt Research Fellowship |
Herbert Kroemer, né le à Weimar en Allemagne et mort le [1], est un physicien germano-américain. Il est colauréat avec Jores Alferov d'une moitié du prix Nobel de physique de 2000[2].
Biographie
Il a obtenu son doctorat de physique théorique en 1952 à l'université de Göttingen en Allemagne, avec une thèse sur les effets d'électrons chauds dans les transistors, à l'origine d'une carrière dans la recherche dans le domaine de la physique des semi-conducteurs.
Il a travaillé dans un grand nombre de laboratoires de recherche en Allemagne et aux États-Unis, et a enseigné le génie électrique à l'université du Colorado de 1968 à 1976. Il a rejoint l'université de Californie à Santa Barbara en 1976, en concentrant son programme de recherche sur des technologies émergentes dans le domaine des composants semi-conducteurs, plutôt que sur le silicium.
Herbert Kroemer, qui est membre de l'Académie nationale d'ingénierie américaine, a été le premier à souligner dans les années 1950 les avantages qui pourraient être obtenus dans de nombreux semi-conducteurs par l'incorporation d'hétérojonctions. En 1963, il a proposé le concept de laser à double-hétérostructure, un concept primordial dans le domaine des lasers à semi-conducteurs. Kroemer a été un pionnier dans le domaine de l'épitaxie par jet moléculaire (MBE ou EJM), se concentrant sur l'application de cette technologie à de nouveaux matériaux.
Il est colauréat avec Jores Alferov d'une moitié du prix Nobel de physique de 2000 (l'autre moitié a été remise à Jack Kilby) « pour des travaux de base dans les technologies de l'information et des communications [...] pour le développement d’hétérostructures semi-conductrices pour l’électronique rapide et l’opto-électronique[2] ».
En 2010, il est professeur de génie électrique et informatique à l'Université de Californie à Santa Barbara (UCSB)
Notes et références
- ↑ (en) « Nobel Laureate Herb Kroemer, 1928-2024 », sur UCSB College of Engineering, (consulté le )
- 1 2 (en) « for basic work on information and communication technology [...] for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics » in Personnel de rédaction, « The Nobel Prize in Physics 2000 », Fondation Nobel, 2010. Consulté le 28 juin 2010
Liens externes
- (en) Autobiographie sur le site de la fondation Nobel (le bandeau sur la page comprend plusieurs liens relatifs à la remise du prix, dont un document rédigé par la personne lauréate — le Nobel Lecture — qui détaille ses apports)
- Ressources relatives à la recherche :
- Notices dans des dictionnaires ou encyclopédies généralistes :
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